業內消息，臺積電資深副總經理暨副共同首席運營官張曉強在2024技藝論壇上宣布，臺積電已成功集成不同晶體管架構，在實驗室做出CFET（互補式場效應晶體管），臺積電今年 3nm 製程工藝將擴增三倍。

張曉強表示，CFET預計將導入先進邏輯製程以及下世代先進邏輯製程，臺積電研制部門仍尋求導入新材料，達成讓單一邏輯芯片容納超2000億顆晶體管，推動半導體技藝持續創新。

臺積電認為，半導體黃金時刻已到來，而未來人工智能（AI）芯片擴展，接近99%將靠臺積電先進邏輯技藝和先進封裝幫助，而臺積電憑借技藝創新，在未來將發揮芯片更高性能及更優異能耗表現。

張曉強表示2nm進展順利，采用納米片技藝，目前納米片轉換表現已經達到目標90%、轉換成良率是超過80%，預計2025年達成技藝量产。

據了解，臺積電在2nm基礎下，全球首創的A16製程技藝，搭配獨家開發的背面供電技藝，讓产出的芯片在相同速度下性能比2nm再高出8%~10%；在相同面積下，能耗減少15%~20%。臺積電計劃在2026年將A16導入量产，首顆芯片將用於數據中心高性能計算（HPC）芯片。

此外，臺積電成功在實驗室集成P-FET和N-FET二種不同型態晶體管，做出CFET架構的芯片，這是2nm采用納米片（Nano Sheet）架構創新後，下一個全新晶體管架構創新。

張曉強表示，繼CFET後，臺積電研制人員將繼續尋求另外集成另外晶體管新材料和創新架構，比如Ws2或WoS2等無機納米管或納米碳管，意味着臺積電未來將CFET導入更先進埃米級製程外，也會持續推動更先進晶體管架構創新。

另外，負責3nm量产的資深廠長黃遠國指出，臺積電3nm製程今年將擴增三倍，但仍供不應求，且臺積電今年還會在海內外興建七座工廠，包含先進製程、先進封裝及成熟製程，全力應對顧客需求。

黃遠國表示，臺積電從2020到2024年在3nm、5nm、7nm製程，产能復合年均增長率達25％，特殊製程從2020到2024年復合年均增長率為10％，車用芯片出貨復合年均增長率約為50％。

與此同時，臺積電特殊製程技藝在成熟产品中的比重也在穩步增長，從2020年的61%預計到2024年將達到67%。

值得一提的是，在2022至2023年間，臺積電平均每年建設五個工廠，而今年計劃建設的工廠數量增至七個，包括在中國臺灣建設三個晶圓廠、兩個封裝廠以及在海外建設兩個工廠。據了解，其中包含中國臺灣新竹兩座2nm、高雄一座2nm廠，臺中、嘉義各一座先進封裝廠，海外有日本熊本二廠、德國德勒斯頓廠開始動工。