業內消息，近日韓國存儲芯片巨頭SK 海力士宣布，為應對用於 AI 的半導體需求劇增，決定擴充 AI 基礎設施（Infra）的核心产品即 HBM 等新一代 DRAM 的生产能力（Capacity） 。

當天，公司通過董事會決議，將建設在韓國忠清北道清州市的M15X定為新的DRAM生产基地，並決定向廠房（Fab）建設投資約5.3萬億韓元。SK海力士將於本月末開始進行建設工程，計劃在2025年11月竣工並開始量产。

SK 海力士將於本月末開始進行建設工程，計劃在 2025 年 11 月竣工並開始量产。公司也將依次進行設備投資，從長遠來看，計劃向 M15X 投資逾 20 萬億韓元，由此進一步擴充产能。

SK 海力士強調：“作為 AI 應用的存儲器範圍全球領先者，公司希望通過向韓國生产基地加大投資，為激活韓國經濟動能做出貢獻，同時鞏固提升‘半導體強國’的地位。”

隨着 AI 時代的來臨，半導體業界認為 DRAM 市場進入了中長期增長時代。SK 海力士認為，預計年均增長率高達 60% 以上的 HBM、以面向效勞器的高容量 DDR5 模塊為主的普通 DRAM 产品需求也將持續增加。

在此趨勢下，要想確保 HBM 产品的产量達到與普通 DRAM 相同的水平，則至少需要相對於普通 DRAM 至少兩倍以上的生产能力。SK 海力士認為，提高以 HBM 為主的 DRAM 产能是首要課題。

因此，SK 海力士決定在龍仁半導體集群的第一座工廠竣工（2027 年上半年）之前，在清州 M15X 廠生产新一代 DRAM 产品。而且也考慮了 M15X 廠的地理位置優勢，其與正在擴充 TSV * 生产能力的 M15 廠相鄰，可以進一步優化 HBM 生产。

SK 海力士推進 M15X 項目的同時，也將如期進行投入約 120 萬億韓元的龍仁半導體集群等韓國國內的投資計劃。目前，龍仁半導體集群的用地在建工程進度約為 26%，相較於工程目標快 3 個百分點。

據悉，SK 海力士已完成布局生产設施的用地相關補償和文化遺产調查工作，電力、用水、道路等基礎設施的建設工程也比原計劃進行得更快。公司計劃在明年 3 月開工建造龍仁半導體集群第一座工廠，並於 2027 年 5 月竣工。

另外，SK 海力士的韓國國內投資，在 SK 集團展開的整個韓國國內投資當中也起到了重要作用。2012 年並入 SK 集團後從 2014 年開始總投資 46 萬億韓元，以利川 M14 廠為開端，以增建三座工廠的“未來展望”為中心，在韓國持續加碼投資。

最終，SK 海力士在 2018 年和 2021 年依次竣工了清州 M15 廠和利川 M16 廠，超前達成了未來展望。SK 海力士期待隨之推進的 M15X 和龍仁集群投資，能夠促使韓國成為 AI 半導體強國，也將成為激發國家經濟的牽引力。

SK 海力士 CEO 郭魯正表示：“M15X 將成為向全世界供應 AI 應用存儲器的核心設施，也是公司邁向未來的墊腳石，我確信此次投資不僅有助於公司，還會對國家經濟的未來擴展做出貢獻。”