眾所周知，華為是全球備受瞩目的“專利大戶”，從5G/6G到通信設備，再到通話芯片、操作系統、自動駕駛、EVS等均有涉及。而最近，華為又新增了多條專利信息，其中一項便是關於芯片封裝和製備方法的，這將有利於提高芯片的性能。

根據企查查公開的信息顯示，這項新專利的名稱為“一種芯片封裝以及芯片封裝的製備方法”，申請日期為2020年12月16日，申請公布日為2023年8月4日，申請公開號為CN116547791A。

▲圖片來源：企查查

據悉，這是一種用於簡化芯片堆叠結構及其形成方法的製造技藝。

根據專利摘要顯示，該芯片封裝包括基板、裸芯片、第一保護結構和阻隔結構；該裸芯片、該第一保護結構和該阻隔結構均被設置在該基板的第一表面上；該第一保護結構包裹該裸芯片的側面，該阻隔結構包裹該第一保護結構背離該裸芯片的表面，且該裸芯片的第一表面、該第一保護結構的第一表面和該阻隔結構的第一表面齊平。

其中，該裸芯片的第一表面為該裸芯片背離該基板的表面，該第一保護結構的第一表面為該第一保護結構背離該基板的表面，該阻隔結構的第一表面為該阻隔結構背離該基板的表面。

通過這種芯片堆叠結構的策劃，旨在簡化芯片堆叠結構的製備工藝，並有利於提高生产效率。該專利對於芯片封裝工業具有重要意義，可以加快芯片製造的速度、降低生产成本，並提高芯片的性能和可靠性。

▲專利原理示意圖

該專利一經曝光，立即引起了網友的廣泛關註和討論，例如“華為可以將兩塊14nm製程芯片堆叠在一起，達成與7nm製程芯片相似的性能和功耗”的說法也隨之流傳開來。

不過，華為官方已經多次證實這是謠傳。因為“通過芯片叠加工藝讓兩塊14nm芯片達到7nm水平”這樣的說法本身就是錯誤的，芯片堆叠技藝方案難題包含了熱管理、電氣互聯、封裝和測試、製造技藝等多個方面，要想完成這些並非易事。

此外，兩塊14nm芯片堆叠在一起，還要功耗跟7nm相當，暫且說可以組合，但這樣達成後也是通過降頻。要知道，14nm芯片達到7nm的性能水平就必須功耗翻倍，同時還得進一步擴大芯片面積才能塞下另外的晶體管，這顯然脫離了芯片擴展規律。

雖然這項新專利達成不了7nm工藝，但卻展現了華為在芯片範圍的研制能力和創新能力，也為全球芯片工業的擴展供應了另外新的可能。

▲圖片來源：華為海思官網