據業內消息，近日美國一家商業精密製造公司Zyvex表示製出了亞納米分辨率光刻系統ZyvexLitho1，這個系統沒有采用EUV光刻技藝，但是卻能产出只有0.7nm線寬的芯片，是目前最高製造精度。

在現階段的半導體範圍，整個工業都還在向着5nm以下芯片發起沖鋒，而此級別的尖端半導體製程離不開ASML的EUV光刻機，僅僅一臺EUV光刻機的價錢就高達數億美元，而且要想研制出更小製程的芯片，EUV光刻機也無能為力。

Zyvex是成立於上世紀末主要開發和商業化原子精密製造 (APM) 技藝的産業，以製造具有原子精密度的产品。目前公司的業務為開發APM和開發微細加工/3D微組裝技藝。

本次的亞納米分辨率光刻系統ZyvexLitho1是基於STM掃描隧道顯微鏡，使用的是EBL電子束光刻方式，产出只有0.768nm線寬的電源模塊芯片，僅僅相當於2個Si原子的寬度，是EUV光刻機遠無法達到的，也是當前製造精度最高的光刻系統。

ZyvexLitho1所采用自我顯影的電子束光刻(EBL)技藝的核心是使用氫去鈍化光刻(HDL)從Si(100) 2×1二聚體列(dimer row)重建表面去除氫(H)原子。同時持有無失真成像、自適應電流反饋回路、自動晶格對準、數字矢量光刻、自動化和腳本、內置計量這五大性能。

對於量子計算機來說，高精度的固態量子器件以及納米器件和材料都是非常重要的，因此ZyvexLitho1所产出的芯片將會用於量子計算機。而且ZvyvexLitho1系統並不是一款實驗室原型产品，而是一款已經可以商用的产品，Zyvex公司正在接收其訂單，預計大約6個月才能交貨。

從目前來看，ZyvexLitho1這類的EBL電子束光刻機的精度可以超過ASML的EUV光刻機，但是相比之下前者也有一定的劣勢，比如是产量很低，不具備大規模製造芯片的能力，只對少量高精度芯片/器件有直接幫助，因此價錢也會非常昂貴。